大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » 晶体管:按材料分 » Nanoscale transistors : device physics, modeling and simulation = 纳米晶体管 : 器件物理学, 建模和仿真
| 名称 | Nanoscale transistors : device physics, modeling and simulation = 纳米晶体管 : 器件物理学, 建模和仿真 |
| 索引号 | TN325/E20071 |
| 分类号 | TN325 TN325(晶体管:按材料分) TN32(半导体三极(晶体管)) TN3(半导体技术) TN(无线电电子学、电信技术) T(工业技术) |
| 作者 | Lundstrom、 Mark.、Guo、 Jing、 1977-、 |
| 出版社 | 北京 : 科学出版社, 2007. |
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| 页数 | vi, 217 p. : ill. ; 24 cm. |
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| 简介 | |
| 注解 | Reprint. Originally published: New York : Springer, c2006. 0387280022 (hbk.) |


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