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名称 相变存储器
索引号 TP333/20101
分类号 TP333
TP333(存贮器)
TP33(电子数字计算机（不连续作用电子计算机）)
TP3(计算技术、计算机技术)
TP(自动化技术计算技术技术)
T(工业技术)
作者 宋志棠、
出版社 北京 : 科学出版社, 2010
ISBN 978-7-03-026740-5
页数 253页 : 图 ; 25cm
价格 精装
标签
简介
注解 有书目 本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PcRAM芯片的设计与制造等。
书籍简介

《相变存储器》依托国家“863”、“973”等项目，围绕PCRAM研发所涉及的基础科学与关键技术问题，对PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料体系、新型相变材料的理论与方法、PCRAM的关键单项工艺与集成工艺、器件单元结构改进、PCRAM所涉及的器件结构与芯片模拟、测试、芯片设计与制造等方面进行了较为详细的阶段性工作总结。
《相变存储器》适合材料、微电子等相关专业的研究生、科技人员和教学人员使用。